基本信息
标准名称: | 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 |
英文名称: | Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method |
中标分类: | 冶金 >> 金属化学分析方法 >> 半金属及半导体材料分析方法 |
ICS分类: | 冶金 >> 金属材料试验 >> 金属材料的其他试验方法 |
发布部门: | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
发布日期: | 2011-01-10 |
实施日期: | 2011-10-01 |
首发日期: | 2011-01-10 |
作废日期: | |
主管部门: | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
归口单位: | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
起草单位: | 中国科学院半导体研究所 |
起草人: | 陈涌海、赵有文、提刘旺、王元立 |
出版社: | 中国标准出版社 |
出版日期: | 2011-10-01 |
页数: | 16页 |
适用范围
本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。
本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。
前言
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目录
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引用标准
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所属分类: 冶金 金属化学分析方法 半金属及半导体材料分析方法 冶金 金属材料试验 金属材料的其他试验方法